ASML 與台積電推動 12 吋 High-NA EUV 光罩

☘️ Article

孟恭觀點

• 三大客戶都給出 High NA EUV 量產年份
• 台積一改成本導向的說法上車，intel 的先行者敘事轉為業界共同標準
• https://pr.tsmc.com/chinese/news/3338

✍️ Abstract

三句話總結

• 光罩升級至 12 吋：ASML、台積電 攜手將現行 6 吋光罩升級至 12 吋，目標在 2031 年前建立試產線，並於 2033 年前讓微影系統全面就緒。
• 台積電導入 High-NA：台積電規劃自 2030 年起將 High-NA EUV 導入先進製程量產，顯示策略由成本導向，轉向攜手 ASML 共同推進下一代技術。
• High-NA 轉為業界標準：12 吋光罩可降低成本，並突破 6 吋光罩的拼接限制，在 三大客戶、半導體生態系 支持下，High-NA EUV 有望從 Intel 的先行者技術轉為業界共同標準。
  • 三大客戶：Intel、三星、台積電

ASML 與台積電推動 12 吋 High-NA EUV 光罩

• 發起產業合作：ASML、台積電 宣布推動轉移升級至 12 吋光罩。
• 建立光罩試產線：目標於 2031 年之前建立 12 吋光罩試產線。
• 系統全面就緒：預計於 2033 年之前實現微影系統就緒，以支援先進製程。
• 提升晶圓生產力：12 吋光罩能降低成本，並消除 6 吋光罩的拼接限制。
• 台積電導入時程：有意自 2030 年起，於先進製程量產導入 High NA 技術。
• 獲生態系統支持：半導體製造、光罩廠商 等關鍵夥伴均表達參與意願。
• ASML 試產線：提及 2026 年 9 月、SPIE、High NA EUV 試產線 (pilot line)。

孟恭觀點分析

• 量產時程：三大客戶皆已給出 High NA EUV 的量產年份。
• 策略轉向：台積電改變過往成本導向說法，正式宣布導入 High NA EUV 技術。
  • 過往立場：過去以機台極為昂貴 (單台約 3.5 億~ 4 億 歐元) 為由，強調現有 Low-NA 搭配多次曝光技術更具經濟效益，主張以 客戶成本、投資報酬率 為首要考量，不搶進首波採用。
  • 轉向關鍵：攜手 ASML 推動 12 吋光罩以突破舊有拼接限制並分攤製造成本，自 2030 年起正式加入先進製程量產時程。
• 業界標準：Intel 的先行者敘事已轉變為業界共同標準。

專有名詞

• High NA EUV：高數值孔徑極紫外光：新一代微影技術，計畫將現行 6 吋光罩轉移升級至 12 吋光罩。
• 試產線：pilot line，為微影系統導入先進製程量產所建立的測試生產線。
• 成本導向說法：台積電針對新世代設備採用的審慎態度，強調依據客戶成本與投資回報率評估，而非盲目追求最新規格的先行者稱號。
• 三大客戶：ASML High-NA EUV 導入脈絡中的 3 家主要晶片製造商：Intel、三星、台積電
  1. Intel：已在部分產品量產使用 High-NA EUV。
  2. 三星電子：規劃於 2028 年導入 DRAM 高量產。
  3. 台積電：有意自 2030 年起導入先進製程量產。